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j，奥体采用y掺杂诱导相变接触的典型10nm弹道InSeFET和直接采用传统Ti/Au接触的典型10nmInSeFET的输出特性。发放cd通路状态VDD=0.5V时弹道2DInSeFET的电流(ION)和峰跨导比较以及VDD=1V时LG在50nm以下的其他2DFET(VDD=VDS=VGS)8,23-26。
北京大学电子学院纳米器件物理与化学重点实验室和碳基电子研究中心的邱晨光和彭练矛，体验报道了一种以2D硒化铟(InSe)为通道材料的高热速场效应晶体管，体验在0.5V下工作，实现了6mSμm−1的高跨导和饱和区83%的室温弹道比，超过了任何已报道的硅场效应晶体管。
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